FLASH闪存知识：FLASH闪存主要有哪些

FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。Flash存储器结合了ROM和RAM的长处且具备电子可擦除可编程的性能，还不会因断电而丢失数据，具有快速读取数据的特点。那么关于flash内存的相关总类有哪些呢？

SPI Nor Flash，采用的是SPI 通信协议，SPI Nor Flash具有NOR技术Flash Memory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。

Parallel Nor Falsh,也叫做并行Nor Flash,采用的Parallel接口通信协议，拥有独立的数据线和地址总线，它同样继承了NOR技术Flash Memory的所有特点;由于采用了Parallel接口。Parallel Nor Falsh相对于SPI Nor Flash,支持的容量更大，读写的速度更快，但是由于占用的地址线和数据线太多，在电路电子设计上会占用很多资源。

Parallel Nand Flash，同样采用了Parallel接口通信协议，Nand Flash在工艺制程方面分有三种类型：SLC、MLC、TLC。Nand Flash技术Flash Memory具有以下特点：以页为单位进行读和编程操作，以块为单位进行擦除操作;具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间达到几百ms;芯片尺寸小，引脚少。

闪存是最主要的存储IC，主要为NOR Flash和NAND Flash两种。半导体存储芯片主要分为非易失性存储IC和易失性存储IC，其最主流的非易失性存储IC为闪存，而Flash又可以分为NOR Flash和NAND Flash两大类。

NAND Flash根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和QLC，从结构上又可分为2D、3D两大类。Flash技术主要分为SLC、MLC、TLC和QLC四大类，对应不同的空间结构，这四类技术可又分为2D结构和3D结构两大类。

SLC NAND单位存储容量最低，但性能也最佳。SLC NAND仅有两种不同的电压状态，因此性能最为稳定，寿命也最长；NOR Flash与主流的NAND Flash相比，NOR Flash容量密度小、写入速度慢、擦除速度慢、价格高。

以上是关于FLASH闪存知识介绍，希望能给大家带来帮助。有其他疑问，或电脑数据恢复问题可以咨询迷你兔官方客服QQ：800053193。