了解磁阻内存、3D xpoint、FRAM等更多先进存储器技术

磁阻内存（MRAM）

MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

MRAM的主要缺点是固有的写操作过高和技术节点缩小受限。为了克服这两大制约因素，业界提出了自旋转移矩RAM(SPRAM)解决方案，这项创新技术是利用自旋转换矩引起的电流感应式开关效应。



3D xpoint

3D XPoint是英特尔和美光在2015年7月28日引入市场的首个全新主流存储芯片技术。这一新的存储芯片采用了非晶体管架构。

3D XPoint技术集当今市场中所有存储器技术在性能、密度、功耗、非易失性和成本方面的优势于一体。与NAND相比，这项技术在速度及耐用性方面均实现了最高可达1000倍的提升。此外，相比传统存储器，该存储器技术的存储密度也提升高达10倍。



铁电RAM（FRAM）

FRAM是是一种随机存取存储器技术，已成为存储器家族中最有发展潜力的新成员之一。

它使用一层有铁电性的材料取代原有的介电质，使得它也拥有像EEPROM一样的非易失性内存的优势，在没有电源的情况下可以保存数据，用于数据存储。FRAM具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。（硬盘、U盘、光盘、SD卡等存储设备的数据发生了丢失，使用迷你兔数据恢复软件（minitool）进行恢复找回。）

作为非易失性存储器，FRAM具有接近SRAM和DRAM这些传统易失性存储器的级别的高速写入速度，读写周期只要传统非易失性存储器的数万份之一，但读写耐久性却是后者的1000万倍，达到了10万亿次，可实现高频繁的数据纪录。目前，研发厂商正在解决由阵列尺寸限制带来的FRAM成品率问题，进一步提高存储密度和可靠性。

还在实验室的存储器

高维固态量子存储器

中科院量子信息重点实验室李传锋研究组，在固态系统中首次实现对三维量子纠缠态的量子存储，保真度高达99.1%，存储带宽达1千兆赫，存储效率为20%，而且该存储器具有对高达51维的量子态的存储能力。

遗传存储

微软和华盛顿大学研究人员已经展示了利用人工合成DNA作为数据存储介质的技术。研究人员表示，如果这一技术成熟到适合主流应用，装备当今存储密度最高的存储设备、沃尔玛超市般大小的数据中心，就可能“瘦身”到一块方糖大小，“我们认为，考虑把DNA作为存储介质，探索相关系统设计问题的时机已经成熟。（迷你兔数据恢复minitool具有“删除恢复”、“格式化恢复”、“硬盘恢复”、“深度恢复”、“移动存储设备恢复”五大功能模块，恢复效率高，安全性有保障。）